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Como exportador profesional, X-Meritan ofrece a sus clientes IGBT utiliza termistor NTC sellado con parche de vidrio MELF fabricado en China que cumple con los estándares de calidad internacionales. El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia accionado por voltaje totalmente controlado con una baja caída de voltaje en estado encendido y se usa ampliamente en electrónica de potencia. Combina las características impulsadas por voltaje de un MOSFET con las bajas pérdidas en estado encendido de un BJT, lo que admite aplicaciones de alta corriente y alto voltaje con velocidades de conmutación rápidas y alta eficiencia. El rendimiento general del IGBT no tiene comparación con el de otros dispositivos de potencia. Su ventaja radica en combinar la alta impedancia de entrada de un MOSFET con la baja caída de voltaje en estado encendido de un GTR. Si bien los GTR ofrecen un voltaje de saturación bajo y una densidad de corriente alta, también requieren corrientes de accionamiento altas. Los MOSFET destacan por su bajo consumo de energía y velocidades de conmutación rápidas, pero sufren una alta caída de voltaje en estado encendido y una baja densidad de corriente. El IGBT combina inteligentemente las ventajas de ambos dispositivos, manteniendo un bajo consumo de energía del variador y al mismo tiempo logrando un bajo voltaje de saturación.
Características de transferencia: la relación entre la corriente del colector y el voltaje de la compuerta. El voltaje de encendido es el voltaje de puerta a emisor que permite al IGBT lograr una modulación de conductividad. El voltaje de encendido disminuye ligeramente al aumentar la temperatura, y su valor disminuye aproximadamente 5 mV por cada aumento de 1 °C en la temperatura. Características de voltios-amperios: la característica de salida, es decir, la relación entre la corriente del colector y el voltaje del colector al emisor, se mide con el voltaje de la puerta al emisor como variable de referencia. La característica de salida se divide en tres regiones: bloqueo directo, activa y saturación. Durante la operación, el IGBT cambia principalmente entre las regiones de bloqueo directo y saturación.
El fabricante proporciona módulos IGBT tecnológicamente avanzados que cubren múltiples campos y tienen capacidades de distribución multimarca. A través de proveedores profesionales de componentes electrónicos, brindamos servicios de distribución global.
